据深圳晚报，近日，深圳平湖实验室成功开发出具备超快响应、超高开关比、超万伏耐压能力的Mg（镁）掺杂氧化镓光导开关，技术指标达到国际先进水平，实现在第四代半导体赛道的跨越式领跑。这是深圳平湖实验室第四代半导体团队在成功研发万伏级垂直结构氧化镓光导开关的坚实基础上，向超万伏级氧化镓光导开关发起的攻坚。
这款纯国产自研器件基于国内材料企业镓仁半导体自主生产的高质量氧化镓材料，利用掺杂工程优化[即使用Mg元素替代传统Fe（铁）元素进行掺杂]的核心思路，实现三大核心性能大幅提升。借助Mg掺杂引入的深能级补偿效应，器件可稳定承受220kV/cm以上的超高电场，是名副其实的“扛高压能手”，能在极端高压环境下稳定运行。
Mg掺杂器件实现极低暗态电流，开关比也较目前业界主流水平提升了约两个数量级，彻底解决传统器件“关不紧、漏电多”的痛点。同时，Mg掺杂的独特优势，让器件关断时间小于1纳秒，配合250皮秒开启响应，实现“超快开、超快关”，完美适配脉冲功率、先进雷达等对速度极致要求的场景。
这款超万伏级Mg掺杂氧化镓光导开关瞄准国家重大需求，应用场景覆盖高压直流输电、脉冲功率科学装置、先进雷达等多个关键领域，夯实了第四代半导体自主可控的核心底座。
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